IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPN95R3K7P7ATMA1 par Infineon et IPD80R1K4P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPN95R3K7P7ATMA1 | IPD80R1K4P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,44 | $0,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 950 V | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 2.0 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 6 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 3700 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Technology | Super-junction (CoolMOS P7) | N-Channel Superjunction |
| Boîtier | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) | PG-TO252-2 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +150 C | -55C to +150C |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 4 A |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | — | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Dissipation de puissance (Ptot) | — | 32 W |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) |
| REACH Status | — | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Body Diode | — | Integrated, fast recovery |