IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPN95R3K7P7ATMA1 por Infineon e IPD80R1K4P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPN95R3K7P7ATMA1 | IPD80R1K4P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,44 | $0,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 950 V | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 2.0 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 6 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 3700 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Technology | Super-junction (CoolMOS P7) | N-Channel Superjunction |
| Encapsulamento | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) | PG-TO252-2 (DPAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de junção de operação | -55 C to +150 C | -55C to +150C |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 4 A |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | — | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Dissipação de potência (Ptot) | — | 32 W |
| Contagem de pinos | — | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) |
| REACH Status | — | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Body Diode | — | Integrated, fast recovery |