IPP075N15N3GXKSA1 vs IPT059N15N3ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPP075N15N3GXKSA1 par Infineon et IPT059N15N3ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPP075N15N3GXKSA1 IPT059N15N3ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,92 $2,05
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS™ 3 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
Boîtier PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) PG-HSOF-8-1 (TOLL / TO-Leadless)
Type de montage Through Hole Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] -55 °C to +175 °C (TJ max 175 °C)
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 155 A
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.9 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 375 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Nombre de broches — 8 + exposed source tab
Statut RoHS — Compliant
Niveau MSL — 1
Automotive Qualified — No (industrial grade; non-AEC-Q)

Fiches techniques et ressources

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