IPT008N06NM5LFATMA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPT008N06NM5LFATMA1 par Infineon et IPT015N10NF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPT008N06NM5LFATMA1 - 60V 454A 0.8mΩ N-Ch MOSFET HSOF-8 | Infineon
IPT008N06NM5LFATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPT008N06NM5LFATMA1 | IPT015N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,40 | $3,10 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 5 / Linear FET | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 454 A | 315 A |
| Courant de drain pulsé | [DATA_NEEDED: pulsed ID] | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V | 0.8 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | 3.6 V (typ, 250 µA test) | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55 °C to +175 °C |
| Boîtier | PG-HSOF-8 (single, flat-lead) | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS trench, N-channel enhancement |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| AEC-Q100 | not_qualified (industrial-grade by default) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 35 A |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 1.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.8 V at 267 µA |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 300 W |
| Gate Drive Voltage (typ) | — | 10 V |
| Énergie d'avalanche à impulsion unique | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |