IPT012N08NF2SATMA1 vs IRF7854TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT012N08NF2SATMA1 par Infineon et IRF7854TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPT012N08NF2SATMA1 IPT012N08NF2SATMA1 - 80V, 1.2mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IPT012N08NF2SATMA1 - 80V, 1.2mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IPT012N08NF2SATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT012N08NF2SATMA1 IRF7854TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,74 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPT012N08NF2SATMA1 —
Product Family StrongIRFET™ —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 39 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 351 A —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V 1.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Max 3.8 V —
Power Dissipation (PD) at Ta 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-HSOF-8-10 (HSOF) SO-8
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Pin Count (incl. tab) 9 pins (8+tab) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-derived) HEXFET (planar N-channel)
Statut RoHS Compliant —
Packing Tape & Reel (T/R) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +150°C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Qualification — JEDEC industrial, Normal level
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

Fiches techniques et ressources

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