IPT012N08NF2SATMA1 vs IRF7854TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPT012N08NF2SATMA1 por Infineon e IRF7854TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPT012N08NF2SATMA1 IPT012N08NF2SATMA1 - 80V, 1.2mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IPT012N08NF2SATMA1 - 80V, 1.2mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IPT012N08NF2SATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPT012N08NF2SATMA1 IRF7854TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,74 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPT012N08NF2SATMA1 —
Product Family StrongIRFET™ —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 39 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 351 A —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V 1.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Max 3.8 V —
Power Dissipation (PD) at Ta 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-HSOF-8-10 (HSOF) SO-8
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Pin Count (incl. tab) 9 pins (8+tab) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-derived) HEXFET (planar N-channel)
Status RoHS Compliant —
Packing Tape & Reel (T/R) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +150°C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Qualification — JEDEC industrial, Normal level
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

Fichas técnicas e recursos

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