IPT012N08NF2SATMA1 vs IRF7854TRPBF 比較
詳細な並列比較: IPT012N08NF2SATMA1 メーカー: Infineon および IRF7854TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IPT012N08NF2SATMA1 | IRF7854TRPBF |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $3.74 | $0.48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPT012N08NF2SATMA1 | — |
| Product Family | StrongIRFET™ | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 39 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 351 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V | 1.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Max | 3.8 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 300 W | — |
| 動作接合温度 | -55 °C to +175 °C | — |
| パッケージ | PG-HSOF-8-10 (HSOF) | SO-8 |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Count (incl. tab) | 9 pins (8+tab) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-derived) | HEXFET (planar N-channel) |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Packing | Tape & Reel (T/R) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 10 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25°C | — | 2.5 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 13.4 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max | — | 4.9 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 27 nC |
| 動作温度範囲 | — | -55°C to +150°C (TJ) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix, lead-free) |
| Qualification | — | JEDEC industrial, Normal level |
| Solder Process | — | Reflow and wave-solderable |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |