IPT026N10N5ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT026N10N5ATMA1 par Infineon et IAUC120N06S5L015ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT026N10N5ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,87 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 27 A —
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.6 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc=25°C) 214 W —
Boîtier PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TDSON-8-43 (Surface Mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (exposed pad)
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +175C (Tj)
Configuration Single with built-in diode —
Number of Terminals 8 —
Technology Trench (OptiMOS 5) N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 235 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg, typ) — 88 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 167 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions — VGS = 10 V, ID = 50 A
Typical Application — Automotive DC-DC, battery switches, motor drives

Fiches techniques et ressources

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