IPT026N10N5ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPT026N10N5ATMA1 por Infineon y IAUC120N06S5L015ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPT026N10N5ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,87 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 27 A —
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.6 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc=25°C) 214 W —
Encapsulado PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TDSON-8-43 (Surface Mount)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (exposed pad)
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +175C (Tj)
Configuration Single with built-in diode —
Number of Terminals 8 —
Technology Trench (OptiMOS 5) N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 235 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg, typ) — 88 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 167 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions — VGS = 10 V, ID = 50 A
Typical Application — Automotive DC-DC, battery switches, motor drives

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