IPT026N10N5ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPT026N10N5ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC120N06S5L015ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPT026N10N5ATMA1 IPT026N10N5ATMA1 - 100V 2.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET TOLL | Infineon

IPT026N10N5ATMA1 - 100V 2.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET TOLL | Infineon

IPT026N10N5ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPT026N10N5ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.87 $0.92
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 27 A —
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.6 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc=25°C) 214 W —
パッケージ PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TDSON-8-43 (Surface Mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (exposed pad)
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +175C (Tj)
Configuration Single with built-in diode —
Number of Terminals 8 —
Technology Trench (OptiMOS 5) N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 235 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg, typ) — 88 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 167 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions — VGS = 10 V, ID = 50 A
Typical Application — Automotive DC-DC, battery switches, motor drives

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