IPTC039N15NM5ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPTC039N15NM5ATMA1 par Infineon et ISC015N06NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPTC039N15NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,05 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 190 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 319 W —
On-Resistance RDS(on) typical 3.9 mOhm —
Gate Charge Qg typical 74 nC —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Température de fonctionnement -55 C to +175 C (junction) —
Boîtier PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Cooling Top-side cooled (case above PCB) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

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