IPTC039N15NM5ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPTC039N15NM5ATMA1 por Infineon e ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPTC039N15NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,05 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 190 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 319 W —
On-Resistance RDS(on) typical 3.9 mOhm —
Gate Charge Qg typical 74 nC —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Temperatura de operação -55 C to +175 C (junction) —
Encapsulamento PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Cooling Top-side cooled (case above PCB) —
Status RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Fichas técnicas e recursos

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