IPTC039N15NM5ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPTC039N15NM5ATMA1 от Infineon и ISC015N06NM5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPTC039N15NM5ATMA1 - 150V 190A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IPTC039N15NM5ATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | IPTC039N15NM5ATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $4,05 | $0,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 21 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 190 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 319 W | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 3.9 mOhm | — |
| Gate Charge Qg typical | 74 nC | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | 20 V | — |
| Рабочая температура | -55 C to +175 C (junction) | — |
| Корпус | PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Cooling | Top-side cooled (case above PCB) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55 C to +175 C |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |