IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 par Infineon et IQDH88N06LM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,84 | $2,31 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | OptiMOS 5 (trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Boîtier | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) |
| Nombre de broches | 9 | 9 (with exposed pad) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | Dual-side cooling capable |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | — | 42 A |
| Courant de drain continu (TC=25°C) | — | 447 A |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | — | 0.86 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 3 W |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | — | 333 W |
| Gate Charge Qg typical | — | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |