IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 от Infineon и IQDH88N06LM5CGSCATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,84 | $2,31 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | OptiMOS 5 (trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Корпус | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) |
| Число выводов | 9 | 9 (with exposed pad) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | Dual-side cooling capable |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | — | 42 A |
| Непрерывный ток стока (TC=25°C) | — | 447 A |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | — | 0.86 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 3 W |
| Рассеиваемая мощность (TC=25°C) | — | 333 W |
| Gate Charge Qg typical | — | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] |
| Диапазон рабочих температур | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |