IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IQD063N15NM5SCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQDH35N03LM5SCATMA1 par Infineon et IQD063N15NM5SCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ ActifInfineon
IQD063N15NM5SCATMA1 - 150V 5.1mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IQD063N15NM5SCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQDH35N03LM5SCATMA1 | IQD063N15NM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,05 | $2,35 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 66 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 700 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 0.35 mOhm @ VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 278 W | — |
| Boîtier | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) | PG-WHSON-8-U02 (WHSON-8 with exposed pad) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C | -55°C to +175°C |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Marking | IQDH35N03LM5S | — |
| Series | — | OptiMOS™ 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 151 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 14.4 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 5.1 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | — | 6.32 mΩ (typ) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.8 V (max) |
| Total Gate Charge (QG) at VGS=10V | — | 48 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 3.6 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 900 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 21 pF |
| Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C | — | 333 W |
| Maximum Power Dissition (PD) at TA=25°C | — | 3 W |