IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IQD063N15NM5SCATMA1 비교

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Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IQDH35N03LM5SCATMA1 IQD063N15NM5SCATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.05 $2.35
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 0.35 mOhm @ VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
패키지 PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) PG-WHSON-8-U02 (WHSON-8 with exposed pad)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55 C to +175 C -55°C to +175°C
MSL 레벨 1 (unlimited) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Marking IQDH35N03LM5S —
Series — OptiMOS™ 5
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 151 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 14.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 5.1 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 6.32 mΩ (typ)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.8 V (max)
Total Gate Charge (QG) at VGS=10V — 48 nC
Input Capacitance (Ciss) — 3.6 nF
Output Capacitance (Coss) — 900 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 21 pF
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C — 333 W
Maximum Power Dissition (PD) at TA=25°C — 3 W

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