IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQE022N06LM5CGSCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQDH88N06LM5CGSCATMA1 par Infineon et IQE022N06LM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ Actif
Infineon
IQE022N06LM5CGSCATMA1 IQE022N06LM5CGSCATMA1 - 60V 151A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE022N06LM5CGSCATMA1 - 60V 151A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE022N06LM5CGSCATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQE022N06LM5CGSCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,31 $2,05
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench) —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (Ta=25°C) 42 A —
Courant de drain continu (TC=25°C) 447 A —
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V 0.86 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 3 W —
Dissipation de puissance (TC=25°C) 333 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge Qg typical [DATA_NEEDED: Qg typical nC] —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (TJ) -55C to +150C
Boîtier PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) PG-WHTFN-9 (5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 9 (with exposed pad) 9 (PG-WHTFN-9)
Cooling Dual-side cooling capable —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL Level]
Statut RoHS Compliant Compliant
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (TC) — 151 A
Continuous Drain Current (TA) — 24 A
Maximum Power Dissipation (TC) — 100 W
Maximum Power Dissipation (TA) — 2.5 W
RDS(on) Maximum at VGS=10V — 2.2 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.3 V (typ)
Technology Family — OptiMOS 5

Fiches techniques et ressources

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