IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQE022N06LM5CGSCATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IQDH88N06LM5CGSCATMA1 제조: Infineon 및 IQE022N06LM5CGSCATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | IQE022N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.31 | $2.05 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | 42 A | — |
| 연속 드레인 전류 (TC=25°C) | 447 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | 0.86 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 3 W | — |
| 전력 손실 (TC=25°C) | 333 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge Qg typical | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] | — |
| 동작 온도 범위 | -55°C to +175°C (TJ) | -55C to +150C |
| 패키지 | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) | PG-WHTFN-9 (5x6 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 9 (with exposed pad) | 9 (PG-WHTFN-9) |
| Cooling | Dual-side cooling capable | — |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 151 A |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 24 A |
| Maximum Power Dissipation (TC) | — | 100 W |
| Maximum Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| RDS(on) Maximum at VGS=10V | — | 2.2 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.3 V (typ) |
| Technology Family | — | OptiMOS 5 |