IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQE022N06LM5CGSCATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IQDH88N06LM5CGSCATMA1 por Infineon e IQE022N06LM5CGSCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | IQE022N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,31 | $2,05 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | 42 A | — |
| Corrente de dreno contínua (TC=25°C) | 447 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | 0.86 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 3 W | — |
| Dissipação de potência (TC=25°C) | 333 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge Qg typical | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55°C to +175°C (TJ) | -55C to +150C |
| Encapsulamento | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) | PG-WHTFN-9 (5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 9 (with exposed pad) | 9 (PG-WHTFN-9) |
| Cooling | Dual-side cooling capable | — |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 151 A |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 24 A |
| Maximum Power Dissipation (TC) | — | 100 W |
| Maximum Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| RDS(on) Maximum at VGS=10V | — | 2.2 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.3 V (typ) |
| Technology Family | — | OptiMOS 5 |