IQE008N03LM5CGSCATMA1 vs IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQE008N03LM5CGSCATMA1 par Infineon et IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 - 30V 0.85mOhm Dual N-MOSFET | Infineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 ✓ ActifInfineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQE008N03LM5CGSCATMA1 | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,10 | $1,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) Max | 252 A (per channel, case-temperature limited) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 0.85 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Boîtier | PG-WHTFN-9 (WHTFN) | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) |
| Type de montage | Surface Mount (top + bottom cooling) | Surface Mount |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | Silicon N-Channel Power MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| Nombre de broches | 9 (WHTFN with exposed thermal pads) | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon Power-SMD packages) | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Sans halogène | Yes (Infineon standard for OptiMOS 5) | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 422 A |
| RDS(on) Max | — | 0.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 2 V |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Series | — | OptiMOS 7 |