IQE008N03LM5CGSCATMA1 vs IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 比較
詳細な並列比較: IQE008N03LM5CGSCATMA1 メーカー: Infineon および IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IQE008N03LM5CGSCATMA1 | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.10 | $1.78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) Max | 252 A (per channel, case-temperature limited) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 0.85 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| 動作温度範囲 | -55C to +150C (junction) | — |
| パッケージ | PG-WHTFN-9 (WHTFN) | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) |
| 実装タイプ | Surface Mount (top + bottom cooling) | Surface Mount |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | Silicon N-Channel Power MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| ピン数 | 9 (WHTFN with exposed thermal pads) | — |
| MSLレベル | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon Power-SMD packages) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| ハロゲンフリー | Yes (Infineon standard for OptiMOS 5) | — |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 422 A |
| RDS(on) Max | — | 0.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 2 V |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Series | — | OptiMOS 7 |