IQE020N04LM6CGATMA1 vs IQE012N03LM5CGSCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQE020N04LM6CGATMA1 par Infineon et IQE012N03LM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQE020N04LM6CGATMA1 | IQE012N03LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,75 | $1,55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 6 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 25 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 166 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 107 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V | 2.0 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) typical | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Boîtier | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate) | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +150°C | — |
| Technology | OptiMOS 6, TrenchFET-class | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Configuration | Single N-Channel, source-down | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | — | 34 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc | — | 224 A |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10V | — | 1.15 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 107 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V (typ, per Merlin listing) |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free | — | Yes |