IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 par Infineon et IQDH35N03LM5SCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V 440A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V 440A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,65 $2,05
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 7 (trench) OptiMOS 5 (trench, shielded-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 440 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 57 A —
Power Dissipation at TA 2.5 W —
Power Dissipation at TC 150 W —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) 0.46 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V —
Boîtier PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Polarity / Channel Type Single N-Channel —
Operating Mode Enhancement-mode —
Topology Suitability Hard- and soft-switching —
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 66 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 0.35 mOhm @ VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 278 W
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C
Niveau MSL — 1 (unlimited)
Marking — IQDH35N03LM5S

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis