IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 por Infineon e IQDH35N03LM5SCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V 440A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V 440A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,65 $2,05
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 7 (trench) OptiMOS 5 (trench, shielded-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 440 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 57 A —
Power Dissipation at TA 2.5 W —
Power Dissipation at TC 150 W —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) 0.46 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V —
Encapsulamento PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Polarity / Channel Type Single N-Channel —
Operating Mode Enhancement-mode —
Topology Suitability Hard- and soft-switching —
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 66 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 0.35 mOhm @ VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 278 W
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C
Nível MSL — 1 (unlimited)
Marking — IQDH35N03LM5S

Fichas técnicas e recursos

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