IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 제조: Infineon 및 IQDH35N03LM5SCATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 | IQDH35N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.65 | $2.05 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS 7 (trench) | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 440 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 57 A | — |
| Power Dissipation at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC | 150 W | — |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) | 0.46 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V | — |
| 패키지 | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity / Channel Type | Single N-Channel | — |
| Operating Mode | Enhancement-mode | — |
| Topology Suitability | Hard- and soft-switching | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 0.35 mOhm @ VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| 동작 온도 범위 | — | -55 C to +175 C |
| MSL 레벨 | — | 1 (unlimited) |
| Marking | — | IQDH35N03LM5S |