IRF1010EPBF vs IRF1010NPBF-VB Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF1010EPBF par Infineon et IRF1010NPBF-VB par VBsemi Elec. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

VBsemi Elec
IRF1010NPBF-VB IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF1010EPBF IRF1010NPBF-VB
Marque Infineon VBsemi Elec
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,45 $0,25
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 84 A at Tc —
Power Dissipation (PD) 200 W at Tc —
On-Resistance (RDS(on)) 12 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 86.6 nC —
Technology HEXFET Power MOSFET —
Boîtier TO-220AB TO-220AB (Through Hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Configuration Single FET Single FET
Statut RoHS RoHS3 Compliant Compliant (Pb-free suffix)
Niveau MSL 3 (168 Hours) —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Rise Time / Fall Time [DATA_NEEDED: switching times] —
Thermal Resistance (RthJC) [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to case] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: input capacitance] —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage VDSS — 55 V
Continuous Drain Current ID — 85 A (Tc)
Power Dissipation PD — 180 W (Tc)
On-Resistance RDS(on) — 0.014 Ohm (14 mOhm)
Total Gate Charge Qg — 80 nC
Gate-Source Voltage VGSS — +/-20 V
Operating Mode — Enhancement
Number of Channels — 1
Process Technology — Planar HEXFET, Advanced Process Technology
Recommended Switching Frequency — Below 100 kHz
Market Qualification — Industrial

Fiches techniques et ressources

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