IRF1010EPBF vs IRF1010NPBF-VB Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF1010EPBF por Infineon y IRF1010NPBF-VB por VBsemi Elec. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

VBsemi Elec
IRF1010NPBF-VB IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF1010EPBF IRF1010NPBF-VB
Marca Infineon VBsemi Elec
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,45 $0,25
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 84 A at Tc —
Power Dissipation (PD) 200 W at Tc —
On-Resistance (RDS(on)) 12 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 86.6 nC —
Technology HEXFET Power MOSFET —
Encapsulado TO-220AB TO-220AB (Through Hole)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Configuration Single FET Single FET
Estado RoHS RoHS3 Compliant Compliant (Pb-free suffix)
Nivel MSL 3 (168 Hours) —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Rise Time / Fall Time [DATA_NEEDED: switching times] —
Thermal Resistance (RthJC) [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to case] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: input capacitance] —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage VDSS — 55 V
Continuous Drain Current ID — 85 A (Tc)
Power Dissipation PD — 180 W (Tc)
On-Resistance RDS(on) — 0.014 Ohm (14 mOhm)
Total Gate Charge Qg — 80 nC
Gate-Source Voltage VGSS — +/-20 V
Operating Mode — Enhancement
Number of Channels — 1
Process Technology — Planar HEXFET, Advanced Process Technology
Recommended Switching Frequency — Below 100 kHz
Market Qualification — Industrial

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