IRF1010EPBF vs IRFB4110PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF1010EPBF par Infineon et IRFB4110PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF1010EPBF IRFB4110PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,45 $1,55
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 84 A at Tc —
Power Dissipation (PD) 200 W at Tc —
On-Resistance (RDS(on)) 12 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 86.6 nC —
Technology HEXFET Power MOSFET HEXFET (planar DMOS)
Boîtier TO-220AB TO-220AB (through-hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Configuration Single FET —
Statut RoHS RoHS3 Compliant Compliant (Pb-free suffix)
Niveau MSL 3 (168 Hours) —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Rise Time / Fall Time [DATA_NEEDED: switching times] —
Thermal Resistance (RthJC) [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to case] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: input capacitance] —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

Fiches techniques et ressources

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