IRF1010EPBF vs IRFB4110PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF1010EPBF por Infineon e IRFB4110PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF1010EPBF IRFB4110PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,45 $1,55
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 84 A at Tc —
Power Dissipation (PD) 200 W at Tc —
On-Resistance (RDS(on)) 12 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 86.6 nC —
Technology HEXFET Power MOSFET HEXFET (planar DMOS)
Encapsulamento TO-220AB TO-220AB (through-hole)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Configuration Single FET —
Status RoHS RoHS3 Compliant Compliant (Pb-free suffix)
Nível MSL 3 (168 Hours) —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Rise Time / Fall Time [DATA_NEEDED: switching times] —
Thermal Resistance (RthJC) [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to case] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: input capacitance] —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

Fichas técnicas e recursos

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