IRF1010EPBF vs IRFB4110PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF1010EPBF por Infineon y IRFB4110PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF1010EPBF IRFB4110PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,45 $1,55
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 84 A at Tc —
Power Dissipation (PD) 200 W at Tc —
On-Resistance (RDS(on)) 12 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 86.6 nC —
Technology HEXFET Power MOSFET HEXFET (planar DMOS)
Encapsulado TO-220AB TO-220AB (through-hole)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Configuration Single FET —
Estado RoHS RoHS3 Compliant Compliant (Pb-free suffix)
Nivel MSL 3 (168 Hours) —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Rise Time / Fall Time [DATA_NEEDED: switching times] —
Thermal Resistance (RthJC) [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to case] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: input capacitance] —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

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