IRF1310NSTRLPBF vs IRLS3036TRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF1310NSTRLPBF par Infineon et IRLS3036TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF1310NSTRLPBF | IRLS3036TRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,84 | $1,39 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 36 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 73.3 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 160 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | -55C to +175C |
| Boîtier | D2PAK (TO-263AB) | D2PAK (TO-263), surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | IR HEXFET (planar DMOS) |
| Built-in Diode | Yes (intrinsic body diode) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 270 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | — | 195 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 1100 A |
| Rds(on) max @ Vgs=10V | — | 1.9 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | Logic level (see datasheet for exact value) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 91 nC |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | — | [DATA_NEEDED: Vgs max +/- V] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 380 W |
| Niveau MSL | — | 1 |
| Statut RoHS | — | Compliant (PBF suffix) |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |
| Integrated Body Diode | — | Yes (avalanche rated) |