IRF1310NSTRLPBF vs IRLS3036TRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF1310NSTRLPBF от Infineon и IRLS3036TRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF - 100V 42A N-Channel MOSFET | Infineon D2PAK

IRF1310NSTRLPBF - 100V 42A N-Channel MOSFET | Infineon D2PAK

IRF1310NSTRLPBF ✓ Активен
Infineon
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF - 60V 270A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLS3036TRLPBF - 60V 270A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLS3036TRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF1310NSTRLPBF IRLS3036TRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,84 $1,39
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Диапазон рабочих температур -55C to +175C -55C to +175C
Корпус D2PAK (TO-263AB) D2PAK (TO-263), surface mount
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR HEXFET (planar DMOS)
Built-in Diode Yes (intrinsic body diode) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Configuration Single with built-in diode —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 270 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — 195 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 1100 A
Rds(on) max @ Vgs=10V — 1.9 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — Logic level (see datasheet for exact value) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) typ — 91 nC
Gate-Source Voltage (Vgs) max — [DATA_NEEDED: Vgs max +/- V]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 380 W
Уровень MSL — 1
Статус RoHS — Compliant (PBF suffix)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Integrated Body Diode — Yes (avalanche rated)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену