IRF3710ZPBF vs IRF1310NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF3710ZPBF par Infineon et IRF1310NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF3710ZPBF IRF1310NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,88 $0,98
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 59 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 160 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 18 mOhm (typical) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC (typical) 73.3 nC
Maximum Junction Operating Temperature 175 C —
Gate Drive Voltage (Optimized) 10 V —
Boîtier TO-220AB (through-hole, 3 pins) TO-220AB (through-hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Pin Configuration G-D-S (Gate-Drain-Source, standard TO-220) —
Qualification Standard JEDEC, Normal Level —
Statut RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant (PBF suffix)
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM value]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 36 mOhm
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs value]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd value]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 160 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C

Fiches techniques et ressources

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