IRF3710ZPBF vs IRF1310NPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF3710ZPBF von Infineon und IRF1310NPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF3710ZPBF IRF1310NPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,88 $0,98
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 59 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 160 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 18 mOhm (typical) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC (typical) 73.3 nC
Maximum Junction Operating Temperature 175 C —
Gate Drive Voltage (Optimized) 10 V —
Gehäuse TO-220AB (through-hole, 3 pins) TO-220AB (through-hole)
Montageart Through Hole Through Hole
Pin Configuration G-D-S (Gate-Drain-Source, standard TO-220) —
Qualification Standard JEDEC, Normal Level —
RoHS-Status Compliant (PBF suffix) Compliant (PBF suffix)
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM value]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 36 mOhm
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs value]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd value]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 160 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +175 C

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern