IRF5210PBF vs IRFS7530TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF5210PBF par Infineon et IRFS7530TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF5210PBF IRFS7530TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $1,72
Type de transistor P-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vds) -100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc -40 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) -2 V to -4 V (typical -2 V) —
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V 60 milliohms —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc 200 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (junction) -55 °C to +175 °C (Tj)
Boîtier TO-220AB (through-hole) —
Type de montage Through Hole Surface Mount
Technology HEXFET (Fifth Generation) StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) Yes (PBF suffix)
Tab Connection Electrically tied to Drain —
Pin Configuration Gate / Drain (tab) / Source (G-D-S, front view) 3-Pin (Gate, Drain tab, Source)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFS7530TRLPBF
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 195 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 2 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: typical gate charge]
Total Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 375 W
Boîtier / Format — PG-TO263-2 (D2PAK, TO-263)
Packaging — Tape & Reel (TR)
Series — StrongIRFET™

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