IRF5210PBF vs IRFS7530TRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF5210PBF por Infineon e IRFS7530TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF5210PBF IRFS7530TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $1,72
Tipo de transistor P-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vds) -100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc -40 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) -2 V to -4 V (typical -2 V) —
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V 60 milliohms —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc 200 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (junction) -55 °C to +175 °C (Tj)
Encapsulamento TO-220AB (through-hole) —
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Technology HEXFET (Fifth Generation) StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) Yes (PBF suffix)
Tab Connection Electrically tied to Drain —
Pin Configuration Gate / Drain (tab) / Source (G-D-S, front view) 3-Pin (Gate, Drain tab, Source)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFS7530TRLPBF
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 195 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 2 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: typical gate charge]
Total Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 375 W
Encapsulamento / Caixa — PG-TO263-2 (D2PAK, TO-263)
Packaging — Tape & Reel (TR)
Series — StrongIRFET™

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