IRF5210PBF vs IRFS7530TRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF5210PBF von Infineon und IRFS7530TRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF5210PBF IRFS7530TRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $1,72
Transistortyp P-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vds) -100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc -40 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) -2 V to -4 V (typical -2 V) —
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V 60 milliohms —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc 200 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (junction) -55 °C to +175 °C (Tj)
Gehäuse TO-220AB (through-hole) —
Montageart Through Hole Surface Mount
Technology HEXFET (Fifth Generation) StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) Yes (PBF suffix)
Tab Connection Electrically tied to Drain —
Pin Configuration Gate / Drain (tab) / Source (G-D-S, front view) 3-Pin (Gate, Drain tab, Source)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFS7530TRLPBF
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 195 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 2 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: typical gate charge]
Total Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 375 W
Gehäuse / Bauform — PG-TO263-2 (D2PAK, TO-263)
Packaging — Tape & Reel (TR)
Series — StrongIRFET™

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