IRF530NSTRLPBF vs IRF540NSTRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF530NSTRLPBF par Infineon et IRF540NSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF530NSTRLPBF | IRF540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,89 | $0,74 |
| Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 17 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 90 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 24.7 nC | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 70 W | 130 W |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | 3.8 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Package Type | D2PAK (TO-263), 3-pin (2 + tab) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (Planar Stripe Cell) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-Free / RoHS Compliant | — |
| Qualification Market | Industrial | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 110 A (per datasheet pulse curve) |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | — | 44 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 47.3 nC (typical) |
| Boîtier | — | D2PAK (TO-263), surface mount |
| Packaging | — | Tape & Reel (13-inch reel) |
| Statut RoHS | — | Compliant (Pb-free) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (HEXFET ruggedized) |