IRF540 vs IRF540NSTRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF540 par STMicroelectronics et IRF540NSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF540 | IRF540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,55 | $0,74 |
| FET Type | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 22 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) | 85 W (Tc) | — |
| RDS(on) Typical | 0.050 Ohm | — |
| RDS(on) Maximum at 10 V Gate Drive | 77 mOhm (family typ.) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Total Gate Charge] | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Avalanche Rating | Repetitive avalanche rated, 100% avalanche tested, data at 100C | — |
| Boîtier | TO-220 (through hole) | D2PAK (TO-263), surface mount |
| Type de montage | Through Hole | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| Technology | Avalanche-rugged power MOSFET | HEXFET (IR MOSFET) |
| Statut RoHS | unknown | Compliant (Pb-free) |
| Gate Drive Recommendation | 10 V for full enhancement | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 110 A (per datasheet pulse curve) |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | — | 44 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 47.3 nC (typical) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 130 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Packaging | — | Tape & Reel (13-inch reel) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (HEXFET ruggedized) |