IRF640NPBF vs IRFB7437PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF640NPBF par Infineon et IRFB7437PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF640NPBF IRFB7437PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,88 $0,92
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 150 mOhm max at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 150 W —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 150 nC
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C -55°C to +175°C
Technology HEXFET (5th Generation) StrongIRFET™, N-Channel Trench MOSFET
Type de transistor N-Channel Enhancement Mode —
Boîtier TO-220AB (through-hole, 3-pin) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Type de montage Through Hole Through Hole
Avalanche Energy Rated Yes —
dv/dt Rating Dynamic, rated —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon (formerly International Rectifier)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 195 A
Silicon-Limited Drain Current — 250 A
R_DS(on) typ @ VGS=10V — 1.5 mΩ
R_DS(on) max @ VGS=10V — 2.0 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 3.0 V (1.7 V min, 3.9 V max per datasheet family)
Miller Plateau Charge (Qgd) — 49 nC
Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) — 230 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 0.62 °C/W
Lead Finish — Lead-free (PBF - Pb-free plating)
Niveau MSL — Not Applicable (through-hole package)
AEC-Q101 Automotive — Not qualified (industrial/consumer)

Fiches techniques et ressources

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