IRF640NSTRLPBF vs IRFZ24NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF640NSTRLPBF par Infineon et IRFZ24NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF640NSTRLPBF IRFZ24NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,89 $0,46
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (5th generation, trench MOSFET) HEXFET planar cell
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 150 W —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 0.15 ohm —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 13.3 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Plage de température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab) TO-220AB (through hole)
Type de montage Surface Mount (Tape and Reel) Through Hole
Lead-Free (PbF) Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ± 20 V
RDS(on) at VGS=10V — 70 mOhm (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 45 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Switching Frequency Range — Optimized for < 100 kHz
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Qualification — JEDEC standard
Channel Mode — Enhancement

Fiches techniques et ressources

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