IRF640NSTRLPBF vs IRFZ24NPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF640NSTRLPBF от Infineon и IRFZ24NPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF - 200V 18A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF640NSTRLPBF - 200V 18A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF640NSTRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF640NSTRLPBF IRFZ24NPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,89 $0,46
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (5th generation, trench MOSFET) HEXFET planar cell
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 150 W —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 0.15 ohm —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 13.3 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Диапазон рабочей температуры перехода -55C to +175C —
Корпус D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab) TO-220AB (through hole)
Тип монтажа Surface Mount (Tape and Reel) Through Hole
Lead-Free (PbF) Yes —
Статус RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ± 20 V
RDS(on) at VGS=10V — 70 mOhm (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 45 W
Рабочая температура перехода — -55C to +175C
Switching Frequency Range — Optimized for < 100 kHz
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Qualification — JEDEC standard
Channel Mode — Enhancement

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену