IRF640NSTRLPBF vs IRFZ24NPBF 比較

詳細な並列比較: IRF640NSTRLPBF メーカー: Infineon および IRFZ24NPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF - 200V 18A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF640NSTRLPBF - 200V 18A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF640NSTRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF640NSTRLPBF IRFZ24NPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.89 $0.46
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (5th generation, trench MOSFET) HEXFET planar cell
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 150 W —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 0.15 ohm —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 13.3 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
動作接合温度範囲 -55C to +175C —
パッケージ D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab) TO-220AB (through hole)
実装タイプ Surface Mount (Tape and Reel) Through Hole
Lead-Free (PbF) Yes —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ± 20 V
RDS(on) at VGS=10V — 70 mOhm (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 45 W
動作接合温度 — -55C to +175C
Switching Frequency Range — Optimized for < 100 kHz
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Qualification — JEDEC standard
Channel Mode — Enhancement

データシート&リソース

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