IRF7342PBF vs IRF7313TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7342PBF par Infineon et IRF7313TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7342PBF IRF7313TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,89 $0,27
Manufacturer Infineon Technologies Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number IRF7342PBF IRF7313TRPBF
Original Mfr International Rectifier (now Infineon) —
Technology HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation)
Configuration Dual P-Channel (2 independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage V(DSS) -55 V —
Continuous Drain Current I(D) 3.4 A —
On-Resistance R(DS(on)) 0.105 ohm —
Power Dissipation P(D) 2 W —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Boîtier / Format 8-SOIC (SO-8) —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C (junction)
Gate Threshold Vgs(th) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Switching Frequency Optimization < 100 kHz —
Statut RoHS Compliant —
Halogen Status Halogen-Free —
Qualification JEDEC standard —
Transistor Configuration — Dual N-Channel (Independent)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) max — 6.5 A per channel
On-Resistance (RDS(on)) max — 29 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) max — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: ±V rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (typical range)
Boîtier — 8-pin SOIC (SO-8) surface mount
Lead-Free / Pbf — Yes (lead-free plating)
Avalanche Rated — Yes
Niveau MSL — 1
Qualification Standard — Consumer market (per IR datasheet)
Shipping Media — Tape & Reel (TRPBF suffix)

Fiches techniques et ressources

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