IRF7469TRPBF vs IRFR4105TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7469TRPBF par Infineon et IRFR4105TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7469TRPBF IRFR4105TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,37 $0,58
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET™ (HEXFET) HEXFET (5th generation IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C 9 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 17 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C 2.5 W —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C (Tj) -55C to +175C
Boîtier 8-SO (SOIC-8) TO-252AA (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant (lead-free, PBF suffix)
Lead-Free Yes —
Sans halogène Yes —
Channel Mode Enhancement —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D at Tc) — 27 A
On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) — 45 milliohm
Gate-Source Voltage (V_GS max) — 20 V
Total Gate Charge (Q_G) — 22.7 nC
Power Dissipation (P_D at Tc) — 68 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Packaging Type — Tape and Reel (TRPBF)
Avalanche Energy (E_AS) — [DATA_NEEDED: E_AS rating]

Fiches techniques et ressources

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