IRF7469TRPBF vs IRFR4105TRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRF7469TRPBF 제조: Infineon 및 IRFR4105TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRF7469TRPBF IRFR4105TRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.37 $0.58
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET™ (HEXFET) HEXFET (5th generation IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C 9 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 17 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C 2.5 W —
동작 온도 범위 -55°C to +150°C (Tj) -55C to +175C
패키지 8-SO (SOIC-8) TO-252AA (DPAK)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS 상태 Compliant Compliant (lead-free, PBF suffix)
Lead-Free Yes —
할로겐 프리 Yes —
Channel Mode Enhancement —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D at Tc) — 27 A
On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) — 45 milliohm
Gate-Source Voltage (V_GS max) — 20 V
Total Gate Charge (Q_G) — 22.7 nC
Power Dissipation (P_D at Tc) — 68 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Packaging Type — Tape and Reel (TRPBF)
Avalanche Energy (E_AS) — [DATA_NEEDED: E_AS rating]

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