IRF7749L1TRPBF vs BSC0906NSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF7749L1TRPBF par Infineon et BSC0906NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF7749L1TRPBF | BSC0906NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,88 | $0,48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF7749L1TRPBF | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | HEXFET / IR MOSFET | OptiMOS |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25 C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25 C | 200 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.9 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 1.5 mOhm at VGS=10 V | — |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) typ | 1.1 mOhm at VGS=10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 200 nC max | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) typ | 71 nC | — |
| Power Dissipation (Ptot) at TC=25 C | 125 W | — |
| Power Dissipation (Ptot) at TA=25 C | 3.3 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) | 45 K/W max | — |
| Boîtier | DirectFET Isometric L8 | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 63 A |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 30 W |
| RDS(on) max (typical reference) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (junction, typical) |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Statut RoHS | — | Compliant |