IRF7832TRPBF vs IRFL014NTRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7832TRPBF par Infineon et IRFL014NTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7832TRPBF IRFL014NTRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,92 $0,30
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7832TRPBF —
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (trench MOSFET) HEXFET (planar N-channel, fifth generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.0 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical 1.0 V to 2.5 V —
Total Gate Charge (Qg) typical 34 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (TJ) -55 C to +150 C (junction)
Boîtier 8-SO (SOIC-8) SOT-223 (TO-261-4), 4-pin (3 + tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) Level 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at 25 C — 1.9 A
Continuous Drain Current (ID) at 70 C — [DATA_NEEDED: ID at 70 C]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=10V — 160 milliohm
Gate Charge (Qg) typical — 7 nC
Threshold Voltage VGS(th) typical — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Power Dissipation (PD) at 25 C — 1.0 W (free air), up to 2.1 W with proper PCB copper
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
dv/dt Rating — Yes (dynamic dv/dt rated)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant

Fiches techniques et ressources

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