IRF8736TRPBF vs IRF8736PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF8736TRPBF par Infineon et IRF8736PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF8736TRPBF IRF8736PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,27 $0,45
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET / HEXFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 18 A —
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C 2.5 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 4.8 mOhm at VGS = 10V —
Gate Charge (Qg) Typical 17 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Boîtier SO-8 (8-SO, MS-012AA) SO-8 (8-SO)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) -55°C to +150°C (junction)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (Unlimited)
Avalanche Rated Yes (fully characterized avalanche voltage) Yes (fully characterized avalanche voltage and current)
Configuration Single —
Packaging Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=70°C — [DATA_NEEDED: ID at TA=70°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 4.8 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 6.0 mΩ (typical)
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — Logic-level (optimized for 5 V drive)
Total Gate Charge Qg — 17 nC (typical)
Maximum Power Dissipation at TA=25°C — 2.5 W
RoHS / Lead-Free — Lead-Free, RoHS3 Compliant
Qualification Standard — JEDEC

Fiches techniques et ressources

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